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对晶片材料一般有以下要求:
(1)材料厚度机电耦合系数K 要大,径向机电耦合系数 要小,即值要大,从而获得较高的转换频率,有利于提高探测灵敏度和信噪比。
(2)材料机械品质因数宜小一些,使晶片在激励后能很快回到静止状态,使声脉冲持续时间尽可能短,有利于提高纵向分辨力,减小盲区。
(3)晶片激励后所产生的声脉冲应具有良好的波形,其频谱包络线应接近于高斯曲线,有利于改善近场区的声压分布。
(4)晶片材料与被检材料声阻抗应尽量接近,在水浸探伤时,晶片材料与水的声阻抗应尽量接近,以利于阻抗匹配。
(5)对一发一收的探头,应选择压电发射系数大的材料做发射晶片,选择压电接收系数大的材料做接收晶片。
(6)高温探伤应选择居里点高的材料做晶片。
(7)制造大尺寸探头应选择介电常数小的材料做晶片。