对晶片材料一般有以下要求：
（1）材料厚度机电耦合系数K 要大，径向机电耦合系数
要小，即
值要大，从而获得较高的转换频率，有利于提高探测灵敏度和信噪比。
（2）材料机械品质因数宜小一些，使晶片在激励后能很快回到静止状态，使声脉冲持续时间尽可能短，有利于提高纵向分辨力，减小盲区。
（3）晶片激励后所产生的声脉冲应具有良好的波形，其频谱包络线应接近于高斯曲线，有利于改善近场区的声压分布。
（4）晶片材料与被检材料声阻抗应尽量接近，在水浸探伤时，晶片材料与水的声阻抗应尽量接近，以利于阻抗匹配。
（5）对一发一收的探头，应选择压电发射系数
大的材料做发射晶片，选择压电接收系数
大的材料做接收晶片。
（6）高温探伤应选择居里点高的材料做晶片。
（7）制造大尺寸探头应选择介电常数
小的材料做晶片。
